2000V 115A/Tc100°C Thread=C ,Rthjc=0,4K/W
Основна информация:
Маркировка производителя | SKNa86/20UNF |
Kategorie | Diode Avalanche |
Тип на елемент: | Diode Avalanche |
Конфигурация: | single (1D) BA |
Спецификация: | Bonded contacts |
Тип на материала: | !_si-silicon_! |
Gap (по номер на продукта) | 999.99 [mm] |
RoHS | Да |
REACH | Не |
Tип на корпуса: | !_studb_! |
Kорпус: | !_m 8 do-5_! |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Опаковка и тегло:
Единица: | бр |
Тегло: | 20 [g] |
Вид на опаковката: | BOX |
Малък пакет (Брой единици): | 36 |
Електрофизични параметри:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1800 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 115 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 115 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 1.2 [VDC] |
I2t (TC/TA=25°C) | 11250 [1000*A2s] |
Топлинни и механични параметри:
Tmin (минимална работна температура) | -40 [°C] |
Tmax (максимална работна температура) | 180 [°C] |
Rthjc (case) | 0.4 [°C/W] |
Number of Pins | 2 |
ПИН размери | 0.00 [mm] |
zavit | M 8.0 |
Алтернативи и заместители
Алтернативни продукти 1: | DSAI 75-12B |
Алтернативни продукти 2: | DSAI75-18A |
Алтернативни продукти 3: | DSAI75-14A |
Алтернативни продукти 4: | DSAI 75-16A |