Република Чехия (čeština) aнглийски Германия (Deutsch) Австрия (Deutsch) Швейцария (Deutsch) Република Словакия (slovenčina) Унгария (magyar) Румъния (Română) Франция (français) Италия (italiano) Полша (polski) Естония (eesti keel) Русия (pусский) Испания (español) Словения (slovenščina) Хърватия (hrvatski) България (български)
Вие нямате продукти във Вашата количка

MSCSM120TAM31CT3AG

SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack

!_prilohy_!:
Кликнете за уголемяване
MSCSM120TAM31CT3AG Microchip Technology
MSCSM120TAM31CT3AG Microchip Technology
MSCSM120TAM31CT3AG Microchip Technology
бр
ID Code:186279
Производител:Microchip Technology
Цена с ДДС : 522,3876 €
Цена без ДДС : 431,7253 €
VAT:21 %
Наличност:по заявка
Общия запас:0 бр
Маркировка производителя: MSCSM120TAM31CT3AG
Централен склад Zdice: 0 бр
Единица:: бр
!_prehled mnozstevnich slev_!
КоличествоЦена без ДДСЦена с ДДС
1 + 431,7253 €522,3876 €
5 + 413,7362 €500,6208 €
10 + 395,7480 €478,8551 €
25 + 377,7594 €457,0889 €
SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack
The MSCSM120TAM31CT3AG device is designed for the following applications: • Uninterruptible Power Supplies • Switched Mode Power Supplies • EV motor and traction drive • Welding converters
• SiC Power MOSFET , High speed switching, Low RDS(on), Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, Zero reverse recovery, Zero forward recovery, Temperature Independent switching behavior, Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance • Kelvin source for easy drive • Internal thermistor for temperature monitoring • Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance

Основна информация:

Маркировка производителяMSCSM120TAM31CT3AG 
Тип на елемент:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Конфигурация:Bridge 3f 
Спецификация:!_sic n-channel mosfet_! 
Kонструкция:6*FET-BD+6*D 
Тип на материала:!_sic full_! 
RoHSДа 
REACHНе 
Tип на корпуса:MODUL 
Kорпус:!_sp3f_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Опаковка и тегло:

Единица:бр 
Тегло:125 [g]
Вид на опаковката:BOX 
Малък пакет (Брой единици):

Електрофизични параметри:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)89 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)89 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)71 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)395  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)31 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3020 pF

Топлинни и механични параметри:

Tmin (минимална работна температура)-40 [°C]
Tmax (максимална работна температура)125 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.38 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.9 [°C/W]
RM - Растер3.81 [mm]
RM1 - Разредка на редовете 38 [mm]
W - Ширина 42.5 [mm]
L - Дължина 73.4 [mm]
H - Bисочина 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)73x43x12 [mm]
ПИН размери1,35 [mm]
Lv - Length of outlets5.3 [mm]

Алтернативи и заместители

Алтернатива 1:183781 - CCS050M12CM2 (CRE) 
Алтернативни продукти 1:CCB032M12FM3 

!_potrebujete poradit ?_! MSCSM120TAM31CT3AG Microchip Technology

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
!_vas email_!
!_vas telefon_!
Вашата заявка
     Повече информация




!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Моля Препишете кода от картинката antispam

В предоставянето на услуги да ни помогне да бисквитки. Използвайки нашите услуги Вие се съгласявате с нашите използването на бисквитки.   Повече информация