MSCSM120AM31CT1AG
Full SiC MOSFET 1200V / 71A
| ID Code: | 186150 |
| Производител: | Microsemi / Microchip Technology |
| Цена с ДДС : | 120,2188 € |
| Цена без ДДС : | 99,3544 € |
| VAT: | 21 % |
| Наличност: | по заявка |
| Общия запас: | 0 бр |
| Маркировка производителя: | MSCSM120AM31CT1AG |
| Централен склад Zdice: | 0 бр |
| Външен склад (срок на доставка 5 ÷ 10 дни): | 0 бр |
| Единица:: | бр |
| !_prehled mnozstevnich slev_! | Количество | Цена без ДДС | Цена с ДДС |
| 1 + | 99,3544 € | 120,2188 € |
| 3 + | 97,8048 € | 118,3438 € |
| 5 + | 97,0301 € | 117,4064 € |
| 10 + | 92,1601 € | 111,5137 € |
• SiC Power MOSFET - High speed switching, - Low RDS(on), - Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance
Основна информация:
| Маркировка производителя | MSCSM120AM31CT1AG |
| Tип на корпуса: | MODUL |
| Kорпус: | !_modul-sp1f_! |
| Kategorie | Full SiC (MOS+D) |
| Конфигурация: | !_half bridge_! |
| Тип на материала: | !_sic_! |
| RoHS | Да |
| REACH | Не |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Опаковка и тегло:
| Единица: | бр |
| Тегло: | 80 [g] |
| Вид на опаковката: | BOX |
| Малък пакет (Брой единици): | 1 |
Електрофизични параметри:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 89 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 89 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 71 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 395 [W] |
| Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
| Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 31 [mΩ] |
| trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 25 [ns] |
| Ft (transition/operation frequency) (@Inom.) | 0.04 [MHz] |
| Qg (Total Gate Charge) | 232 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 3020 pF |
Топлинни и механични параметри:
| Tmin (минимална работна температура) | -40 [°C] |
| Tmax (максимална работна температура) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.38 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.9 [°C/W] |
| ПИН размери | 0.00 [mm] |
Copyright © www.semictrade.eu by
Shop5.cz