Република Чехия (čeština) aнглийски Германия (Deutsch) Австрия (Deutsch) Швейцария (Deutsch) Република Словакия (slovenčina) Унгария (magyar) Румъния (Română) Франция (français) Италия (italiano) Полша (polski) Естония (eesti keel) Русия (pусский) Испания (español) Словения (slovenščina) Хърватия (hrvatski) България (български)
Вие нямате продукти във Вашата количка

MSCSM120AM02CT6LIAG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode

!_prilohy_!:
Кликнете за уголемяване
MSCSM120AM02CT6LIAG Microsemi / Microchip Technology
MSCSM120AM02CT6LIAG Microsemi / Microchip Technology
бр
ID Code:185251
Производител:Microsemi / Microchip Technology
Цена с ДДС : 1 724,8024 €
Цена без ДДС : 1 425,4566 €
VAT:21 %
Наличност:по заявка
Общия запас:0 бр
Маркировка производителя: MSCSM120AM02CT6LIAG
Централен склад Zdice: 0 бр
Външно съхранение (време за доставка от 5÷10 дни): 0 бр
Единица:: бр
!_prehled mnozstevnich slev_!
КоличествоЦена без ДДСЦена с ДДС
1 + 1 425,4566 €1 724,8024 €
3 + 1 282,8998 €1 552,3088 €
MOSFET 1200V Full SiC Very Low Stray Inductance Phase Leg SiCThe following are the features of MSCSM120AM02CT6LIAG device:
. SiC power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. SiC Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Very low stray inductance
. Internal thermistor for temperature monitoring
. M4 and M5 power connectors
. M2.5 signals connectors
. AlN substrate for improved thermal performance

Основна информация:

Маркировка производителяMSCSM120AM02CT6LIAG 
Tип на корпуса:MODUL 
Kорпус:!_modul-t6li_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Тип на елемент:!_n-mosfet_! 
Конфигурация:!_half bridge_! 
RoHSДа 
REACHДа 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Електрически параметри:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)947 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)947 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)754 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)1200 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)3750  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)2.6 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.06 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)2784 [nC]
Cin/CL Load Capacitance36240 pF

Материал, цвят, дизайн:

Тип на материала:!_sic full_! 
Material BaseCu 

Топлинни и механични параметри:

Tmin (минимална работна температура)-40 [°C]
Tmax (максимална работна температура)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.04 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.109 [°C/W]

Размери:

ПИН размери0.00 [mm]

Опаковка и тегло:

Единица:бр 
Тегло:320 [g]
Опаковка:

!_souvisejici zbozi_! - MSCSM120AM02CT6LIAG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Означение на производителя: F05-AL2-62x106mm  
Количество [бр]1+10+
EUR/бр1,66021,5864
Общия запас: 914
Производител: -  
RoHS
Всички цени са посочени без ДДС и не включват транспортни разходи, които ще бъдат добавени към поръчката като отделна позиция.

Вашата заявка MSCSM120AM02CT6LIAG

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Вашата заявка:*
Моля Препишете кода:* antispam
     Повече информация

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Моля Препишете кода от картинката antispam
Copyright © www.semictrade.eu by Shop5.cz

© www.semictrade.eu

В предоставянето на услуги да ни помогне да бисквитки. Използвайки нашите услуги Вие се съгласявате с нашите използването на бисквитки.   Повече информация