Република Чехия (čeština) aнглийски Германия (Deutsch) Австрия (Deutsch) Швейцария (Deutsch) Република Словакия (slovenčina) Унгария (magyar) Румъния (Română) Франция (français) Италия (italiano) Полша (polski) Естония (eesti keel) Русия (pусский) Испания (español) Словения (slovenščina) Хърватия (hrvatski) България (български)
Вие нямате продукти във Вашата количка

MSCSM120AM027D3AG

MOSFET 1200V Full SiC MOS

!_prilohy_!:
Кликнете за уголемяване
MSCSM120AM027D3AG Microsemi / Microchip Technology
MSCSM120AM027D3AG Microsemi / Microchip Technology
бр
ID Code:185448
Производител:Microsemi / Microchip Technology
Цена с ДДС : 1 083,3529 €
Цена без ДДС : 895,3330 €
VAT:21 %
Наличност:по заявка
Общия запас:0 бр
Маркировка производителя: MSCSM120AM027D3AG
Централен склад Zdice: 0 бр
Външно съхранение (време за доставка от 5÷10 дни): 0 бр
Единица:: бр
!_prehled mnozstevnich slev_!
КоличествоЦена без ДДСЦена с ДДС
1 + 895,3330 €1 083,3529 €
3 + 840,5460 €1 017,0607 €
MOSFET 1200V Full SiC Low Stray Inductance Phase Leg SiC The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Very Low RDS(on)
. High temperature performance
. Silicon carbide (SiC) Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature-independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Kelvin source for easy drive
. Low stray inductance
. M6 power connectors
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance

Основна информация:

Маркировка производителяMSCSM120AM027D3AG 
Tип на корпуса:MODUL 
Kорпус:SEMITRANS-3 
KategorieFull SiC (MOS) 
Тип на елемент:!_n-mosfet_! 
Конфигурация:!_half bridge_! 
RoHSДа 
REACHДа 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Електрически параметри:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)733 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)733 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)584 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)1800 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)2970  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)3.5 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.06 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)2088 [nC]
Cin/CL Load Capacitance27000 pF

Материал, цвят, дизайн:

Тип на материала:!_sic full_! 
Material BaseCu 

Топлинни и механични параметри:

Tmin (минимална работна температура)-40 [°C]
Tmax (максимална работна температура)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.07 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.175 [°C/W]

Размери:

ПИН размери0.00 [mm]

Опаковка и тегло:

Единица:бр 
Тегло:374.66 [g]
Опаковка:

Алтернативи и заместители

Алтернатива 1:CAS120M12BM2 
Алтернатива 2:SKM350MB120SCH17 
Алтернативни продукти 1:MD400HFR120C2S 
Алтернативни продукти 2:FF2MR12KM1 

!_souvisejici zbozi_! - MSCSM120AM027D3AG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Означение на производителя: F05-AL2-62x106mm  
Количество [бр]1+10+
EUR/бр1,66021,5864
Общия запас: 914
Производител: -  
RoHS
Всички цени са посочени без ДДС и не включват транспортни разходи, които ще бъдат добавени към поръчката като отделна позиция.

Вашата заявка MSCSM120AM027D3AG

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Вашата заявка:*
Моля Препишете кода:* antispam
     Повече информация

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Моля Препишете кода от картинката antispam
Copyright © www.semictrade.eu by Shop5.cz

© www.semictrade.eu

В предоставянето на услуги да ни помогне да бисквитки. Използвайки нашите услуги Вие се съгласявате с нашите използването на бисквитки.   Повече информация