MSCSM120AM027CT6AG
MOSFET 1200V Full SiC MOS + SIC Diode
| ID Code: | 185287 |
| Производител: | Microsemi / Microchip Technology |
| Цена с ДДС : | 1 334,7275 € |
| Цена без ДДС : | 1 103,0806 € |
| VAT: | 21 % |
| Наличност: | по заявка |
| Общия запас: | 0 бр |
| Маркировка производителя: | MSCSM120AM027CT6AG |
| Централен склад Zdice: | 0 бр |
| Външно съхранение (време за доставка от 5÷10 дни): | 0 бр |
| Единица:: | бр |
| !_prehled mnozstevnich slev_! | Количество | Цена без ДДС | Цена с ДДС |
| 1 + | 1 103,0806 € | 1 334,7275 € |
| 3 + | 1 013,2079 € | 1 225,9816 € |
MOSFET 1200V Full SiC Low Stray Inductance Phase Leg SiC The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Very Low RDS(on)
. High temperature performance
. Silicon carbide (SiC) Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature-independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Kelvin source for easy drive
. Low stray inductance
. M5 power connectors
. Internal thermistor for temperature monitoring
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance
. SiC Power MOSFET
. Very Low RDS(on)
. High temperature performance
. Silicon carbide (SiC) Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature-independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Kelvin source for easy drive
. Low stray inductance
. M5 power connectors
. Internal thermistor for temperature monitoring
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance
Основна информация:
| Маркировка производителя | MSCSM120AM027CT6AG |
| Tип на корпуса: | MODUL |
| Kорпус: | !_modul-t6li_! |
| Kategorie | Full SiC (MOS+D) |
| Тип на елемент: | !_n-mosfet_! |
| Конфигурация: | !_half bridge_! |
| RoHS | Да |
| REACH | Да |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
| UL94 | V-0 |
Електрически параметри:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 733 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 733 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 584 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] |
| IR (reverse current) | 1800 [µA] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 2970 [W] |
| Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
| Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 3.5 [mΩ] |
| trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 55 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 67 [ns] |
| Ft (transition/operation frequency) (@Inom.) | 0.06 [MHz] |
| Qg (Total Gate Charge) | 2088 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 27000 pF |
Материал, цвят, дизайн:
| Тип на материала: | !_sic full_! |
| Material Base | Cu |
Топлинни и механични параметри:
| Tmin (минимална работна температура) | -40 [°C] |
| Tmax (максимална работна температура) | 175 [°C] |
| Rthjc (case) | 0.075 [°C/W] |
| Rthjc1 IGBT | 0.07 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.175 [°C/W] |
Размери:
| ПИН размери | 0.00 [mm] |
Опаковка и тегло:
| Единица: | бр |
| Тегло: | 350 [g] |
| Опаковка: | 6 |
Алтернативи и заместители
| Алтернативни продукти 1: | MD400HFR120B3S |
!_souvisejici zbozi_! - MSCSM120AM027CT6AG
 |
I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm ID: 176035 Означение на производителя: F05-AL2-62x106mm
| Общия запас: 914 Производител: - |
Всички цени са посочени без ДДС и не включват транспортни разходи, които ще бъдат добавени към поръчката като отделна позиция.
Copyright © www.semictrade.eu by
Shop5.cz