Република Чехия (čeština) aнглийски Германия (Deutsch) Австрия (Deutsch) Швейцария (Deutsch) Република Словакия (slovenčina) Унгария (magyar) Румъния (Română) Франция (français) Италия (italiano) Полша (polski) Естония (eesti keel) Русия (pусский) Испания (español) Словения (slovenščina) Хърватия (hrvatski) България (български)
Вие нямате продукти във Вашата количка

MSCSM120AM027CT6AG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SIC Diode

!_prilohy_!:
Кликнете за уголемяване
MSCSM120AM027CT6AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM120AM027CT6AG Microchip Technology - Microsemi
бр
ID Code:185287
Производител:Microchip Technology - Microsemi
Цена с ДДС : 1 483,7918 €
Цена без ДДС : 1 226,2742 €
VAT:21 %
Наличност:по заявка
Общия запас:0 бр
Маркировка производителя: MSCSM120AM027CT6AG
Централен склад Zdice: 0 бр
Външен склад (срок на доставка 5 ÷ 10 дни): 0 бр
Единица:: бр
!_prehled mnozstevnich slev_!
КоличествоЦена без ДДСЦена с ДДС
1 + 1 226,2742 €1 483,7918 €
5 + 1 175,1877 €1 421,9771 €
10 + 1 124,0616 €1 360,1146 €
25 + 1 072,9751 €1 298,2999 €
MOSFET 1200V Full SiC Low Stray Inductance Phase Leg SiC The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Very Low RDS(on)
. High temperature performance
. Silicon carbide (SiC) Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature-independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Kelvin source for easy drive
. Low stray inductance
. M5 power connectors
. Internal thermistor for temperature monitoring
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance

Основна информация:

Маркировка производителяMSCSM120AM027CT6AG 
Tип на корпуса:MODUL 
Kорпус:!_modul-t6li_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Тип на елемент:!_n-mosfet_! 
Конфигурация:!_half bridge_! 
Тип на материала:!_sic full_! 
Material BaseCu 
RoHSДа 
REACHНе 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Опаковка и тегло:

Единица:бр 
Тегло:350 [g]
Вид на опаковката:BOX 
Малък пакет (Брой единици):

Електрофизични параметри:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)733 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)733 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)584 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)1800 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)2970  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)3.5 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.06 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)2088 [nC]
Cin/CL Load Capacitance27000 pF

Топлинни и механични параметри:

Tmin (минимална работна температура)-40 [°C]
Tmax (максимална работна температура)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.07 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.175 [°C/W]
ПИН размери0.00 [mm]

Алтернативи и заместители

Алтернативни продукти 1:MD400HFR120B3S 

!_souvisejici zbozi_! - MSCSM120AM027CT6AG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Означение на производителя: F05-AL2-62x106mm  
Количество [бр]1+10+50+100+
EUR/бр1,77801,69891,65941,4619
Общия запас: 534
Производител: -  
RoHS
Всички цени са посочени без ДДС и не включват транспортни разходи, които ще бъдат добавени към поръчката като отделна позиция.

Вашата заявка MSCSM120AM027CT6AG

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Вашата заявка:*
Моля Препишете кода:* antispam
     Повече информация

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Моля Препишете кода от картинката antispam

В предоставянето на услуги да ни помогне да бисквитки. Използвайки нашите услуги Вие се съгласявате с нашите използването на бисквитки.   Повече информация