1200V Mosfet SiC, 53A / SOT-227
Основна информация:
Маркировка производителя | MSC040SMA120J |
Тип на елемент: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Конфигурация: | single 1*(T-BD) |
Спецификация: | !_sic n-channel mosfet_! |
Kонструкция: | 1*FET-BD |
Тип на материала: | !_sic full_! |
RoHS | Да |
REACH | Не |
Tип на корпуса: | MODUL |
Kорпус: | SOT-227 |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Опаковка и тегло:
Единица: | бр |
Тегло: | 33 [g] |
Вид на опаковката: | TUBE |
Малък пакет (Брой единици): | 10 |
Голям пакет (КУТИЯ): | 180 |
Електрофизични параметри:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 53 [A] |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 53 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 37 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 208 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 50 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 100 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 10 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 25 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 137 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1990 pF |
Топлинни и механични параметри:
Tmin (минимална работна температура) | -55 [°C] |
Tmax (максимална работна температура) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.27 [°C/W] |
Rthjc1 IGBT | 0.48 [°C/W] |
RM - Растер | 15 [mm] |
RM1 - Разредка на редовете | 12.7 [mm] |
Number of Pins | 3 |
D - Външен диаметър | 4.1 [mm] |
W - Ширина | 25.3 [mm] |
L - Дължина | 38.1 [mm] |
H - Bисочина | 12 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | SOT-227 [mm] |
Алтернативи и заместители
Алтернатива 1: | 183083 - DACMI 80N1200 (DAC) |
Алтернатива 2: | 183087 - DACMH120N1200 (DAC) |