Република Чехия (čeština) aнглийски Германия (Deutsch) Австрия (Deutsch) Швейцария (Deutsch) Република Словакия (slovenčina) Унгария (magyar) Румъния (Română) Франция (français) Италия (italiano) Полша (polski) Естония (eesti keel) Русия (pусский) Испания (español) Словения (slovenščina) Хърватия (hrvatski) България (български)
Вие нямате продукти във Вашата количка

ACR3200VR33

Bypass Thyristor 3300V/3200A for the protection of IGBT modules in VSC multi-level applications

!_prilohy_!:
Кликнете за уголемяване
ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
бр
ID Code:183764
Производител:Dynex Semiconductor
Цена с ДДС : 873,6784 €
Цена без ДДС : 722,0483 €
VAT:21 %
Наличност:по заявка
Общия запас:0 бр
Маркировка производителя: ACR3200VR33
Централен склад Zdice: 0 бр
Външно съхранение (време за доставка от 5÷10 дни): 0 бр
Единица:: бр
!_prehled mnozstevnich slev_!
КоличествоЦена без ДДСЦена с ДДС
1 + 722,0483 €873,6784 €
3 + 703,9971 €851,8364 €
The Dynex Bypass Thyristor range of devices is specially designed for the protection of IGBT modules in Voltage Source Converter multi-level applications, where a reduced forward blocking voltage is required. Very Low Cosmic Ray FIT Rating, High Surge Capability, High dv/dt Rating
The primary characteristic of the bypass thyristor which determines current diversion from the IGBT diode is dynamic on-state voltage, with overall turn-on time a secondary influence. Highly optimised, Low FIT, low Vt, 3.3kV and 4.5kV bypass thyristor devices have been produced for VSC protection.
Voltage Source Converter (VSC) technology provides a number of advantages over traditional (LCC) HVDC including self-commutation, small footprint, and black start capability and is becoming increasingly popular in applications such as offshore wind.With higher voltage systems, where the current handling capability of the IGBT diode is reduced, effective current diversion becomes essential.

Основна информация:

Маркировка производителяACR3200VR33 
Tип на корпуса:!_puk_! 
Kорпус:!_puk110/73x27t_! 
KategorieTrisil-Overvoltage Protection 
Тип на елемент:TRISIL 
Конфигурация:1xТиристор 
RoHSДа 
REACHНе 
NOVINKA

Електрически параметри:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)3200 [A]
Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)3200 [A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)10000 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)400 [A/µs]
I2t (TC/TA=25°C)9240 [1000*A2s]
tf (turn-off=fall time)3000 [ns]

Материал, цвят, дизайн:

Тип на материала:!_si-silicon_! 

Топлинни и механични параметри:

Tmin (минимална работна температура)-40 [°C]
Tmax (максимална работна температура)125 [°C]
Rthjc (case)0.00746 [°C/W]
Fmin:48000 [N]
Fmax:59000 [N]

Размери:

ПИН размери0.00 [mm]

Опаковка и тегло:

Единица:бр 
Тегло:1100 [g]
Опаковка:

Вашата заявка ACR3200VR33

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Вашата заявка:*
Моля Препишете кода:* antispam
     Повече информация

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Моля Препишете кода от картинката antispam
Copyright © www.semictrade.eu by Shop5.cz

© www.semictrade.eu

В предоставянето на услуги да ни помогне да бисквитки. Използвайки нашите услуги Вие се съгласявате с нашите използването на бисквитки.   Повече информация